MOSFET: principio di funzionamento e portata

Lo studio delle proprietà di un materiale comesemiconduttore, ha permesso di fare scoperte rivoluzionarie. Nel tempo sono apparse tecnologie che consentono, su scala industriale, di produrre diodi, un transistor MOS, un tiristore e altri elementi. Sostituirono con successo le lampade elettroniche e permisero di realizzare le idee più audaci. Gli elementi a semiconduttore sono usati in tutte le sfere della nostra vita. Ci aiutano a elaborare enormi quantità di informazioni, computer, registratori, televisori, ecc. Vengono prodotti sulla base di essi.

Dall'invenzione del primo transistor, e questoEra il 1948, è passato molto tempo. C'erano varietà di questo elemento: un germanio puntiforme, un silicio, un campo o un MOSFET. Tutti loro sono ampiamente usati nelle apparecchiature elettroniche radio. Lo studio delle proprietà dei semiconduttori non si ferma nel nostro tempo.

Questi studi hanno portato alla comparsa di un talecome un MOSFET. Il principio del suo funzionamento si basa sul fatto che sotto l'azione del campo elettrico (da cui un altro nome - campo campo), varia la conduttività dello strato di superficie vicino del semiconduttore situato sul confine con il dielettrico. Questa proprietà viene utilizzata in circuiti elettronici per vari scopi. MOSFET ha una struttura tale che consente di ridurre quasi a zero la resistenza tra lo scarico e la sorgente sotto l'azione del segnale di controllo.

Le sue proprietà sono diverse dal "concorrente" bipolare. Determinano lo scopo della sua applicazione.

• L'alta velocità è garantita daminiaturizzazione del cristallo stesso e delle sue proprietà uniche. Ciò è dovuto a determinate difficoltà nella produzione industriale. Attualmente vengono prodotti cristalli con un gate di 0,06 micron.
• Una piccola capacità transitoria consente a questi dispositivi di operare in circuiti ad alta frequenza. Ad esempio, LSI con il loro uso è utilizzato con successo nelle comunicazioni mobili.
• Resistenza quasi zero che haTransistor MOS allo stato aperto, consente di utilizzarlo come chiavi elettroniche. Possono operare in circuiti di generazione di segnali ad alta frequenza o bypassare elementi come amplificatori operazionali.
• Dispositivi potenti di questo tipo sono utilizzati con successo nei moduli di potenza e possono essere inclusi nei circuiti di induzione. Un buon esempio del loro utilizzo può essere un convertitore di frequenza.

Quando si progetta e si lavora con tali elementiÈ necessario prendere in considerazione alcune funzionalità. I transistor MOS sono sensibili alla sovratensione inversa e facilmente falliscono. Nei circuiti di induttanza, i diodi Schottky ad alta velocità vengono solitamente utilizzati per attenuare l'impulso di tensione inversa che si verifica durante la commutazione.

Le prospettive per l'uso di questi dispositivi sono sufficientiquelli grandi Migliorare la tecnologia della loro produzione è sulla strada per ridurre il cristallo (otturatore). Gradualmente, appaiono dispositivi in ​​grado di controllare motori elettrici sempre più potenti.